RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
87
Около -263% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
870.4
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3128
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link