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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
87
左右 -263% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
24
读取速度,GB/s
3,155.6
15.7
写入速度,GB/s
870.4
12.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3128
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
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Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
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