RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Elpida EBE10UE8ACWA-8G-E 1GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Elpida EBE10UE8ACWA-8G-E 1GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Elpida EBE10UE8ACWA-8G-E 1GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
53
57
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Elpida EBE10UE8ACWA-8G-E 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.8
1,590.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Elpida EBE10UE8ACWA-8G-E 1GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
53
57
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
5,012.0
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
2,201.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
6400
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
868
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Elpida EBE10UE8ACWA-8G-E 1GB Сравнения RAM
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Lenovo 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link