RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
55
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
55
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2274
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link