RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
55
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
55
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2274
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link