RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
17.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3434
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link