RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3434
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link