RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
53
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
3512
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link