RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
53
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.7
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
3956
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link