RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3388
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link