RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
53
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
2354
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link