TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 14.6

Среднее значение в тестах

Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 53

Около -56% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.1 1,590.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

53 34
Скорость чтения, Гб/сек

3,726.4 14.6
Скорость записи, Гб/сек

1,590.1 9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

522 2495

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB

Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Avant Technology W642GU42J5213N 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB

модули RAM