Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB против Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 41
    Около -37% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.2 left arrow 10.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 7.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    23400 left arrow 10600
    Около 2.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    41 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.7 left arrow 15.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 11.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 23400
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1335 left arrow 2913
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения