Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Unterschiede

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 41
    Rund um -37% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.2 left arrow 10.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.8 left arrow 7.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    23400 left arrow 10600
    Rund um 2.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    41 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.7 left arrow 15.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.5 left arrow 11.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1335 left arrow 2913
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche