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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Compara
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1335
2913
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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