RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Сравнить
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB против Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
15.9
Скорость записи, Гб/сек
5.2
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1780
3121
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB Сравнения RAM
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link