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TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
比较
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
总分
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
36
读取速度,GB/s
10.5
15.9
写入速度,GB/s
5.2
14.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1780
3121
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
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