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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
51
左右 -132% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
15.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
22
读取速度,GB/s
15.6
15.9
写入速度,GB/s
11.8
9.5
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2611
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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