RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
51
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2611
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link