RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
51
Intorno -132% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
15.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
22
Velocità di lettura, GB/s
15.6
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2611
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link