Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Różnice

  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 9.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 19200
    Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    22 left arrow 51
    Wokół strony -132% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.9 left arrow 15.6
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    51 left arrow 22
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.6 left arrow 15.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 9.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2687 left arrow 2611
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania