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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
INTENSO 5641152 4GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs INTENSO 5641152 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
INTENSO 5641152 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 5641152 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
INTENSO 5641152 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.9
14.1
写入速度,GB/s
8.7
6.8
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2215
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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INTENSO 5641152 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
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