RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Сравнить
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB против AMD R744G2400U1S-UO 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Средняя оценка
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
66
Около 62% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
66
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2180
1912
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99P5458-011.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-002.A00L 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link