RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сравнить
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
63
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
63
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2180
1863
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link