RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
96
Около -269% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3124
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link