RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
96
Wokół strony -269% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3124
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link