Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

-->

Средняя оценка

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 16.3

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 96

Около -210% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.7 1,336.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

96 31
Скорость чтения, Гб/сек

2,725.2 16.3
Скорость записи, Гб/сек

1,336.0 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

438 3179

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB

Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB

Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB

Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB

Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB

модули RAM