RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
96
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2968
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link