RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
96
Около -220% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2834
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link