RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
96
Около -317% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
21.1
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
23.0
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
21.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
4565
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link