RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
104
Около -117% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
48
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3047
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link