RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
104
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
48
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3047
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 9905595-011.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link