RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
96
Около -269% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
20.2
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3876
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link