RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.7
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
20.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
20.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
4247
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB Сравнения RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link