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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.7
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.8
20.7
写入速度,GB/s
8.4
20.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
4247
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB RAM的比较
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
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