RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
96
Около -243% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.0
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
19.2
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3800
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link