RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
96
Около -284% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
19.0
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3668
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link