RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
96
Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
39
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2600
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link