RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
96
Около -300% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2925
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link