RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
96
Около -231% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2419
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link