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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
総合得点
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
2
13.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
96
周辺 -231% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.9
1,336.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
96
29
読み出し速度、GB/s
2,725.2
13.6
書き込み速度、GB/秒
1,336.0
9.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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