RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
96
122
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.8
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
122
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
9.4
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
1411
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link