RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
96
Около -191% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2800
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link