RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
96
Около -174% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2502
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link