RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
96
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2502
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link