Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

-->

Средняя оценка

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 17.6

Среднее значение в тестах

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 96

Около -336% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.7 1,336.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

96 22
Скорость чтения, Гб/сек

2,725.2 17.6
Скорость записи, Гб/сек

1,336.0 12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

438 2902

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB

Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB

Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9965604-001.D00G 16GB

Kingston 9965604-001.D00G 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9965662-004.A00G 16GB

Kingston 9965662-004.A00G 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

модули RAM