RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
96
Около -191% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3482
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link