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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
96
Por volta de -191% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
33
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
15.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3482
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
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