RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
96
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
49
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
10.9
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2413
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link