RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
96
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
49
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2413
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link