RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
96
Около -153% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2434
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link